將兩個(gè)或兩個(gè)以上二端電路元件中每個(gè)元件的兩個(gè)端子,分別接到一對(duì)公共節(jié)點(diǎn)上的連接方式。圖示為三個(gè)二端元件并聯(lián)。它們都接到一對(duì)公共節(jié)點(diǎn)a、b之上。節(jié)點(diǎn)a、b則分別與電路的其他部分連接。三個(gè)元件并聯(lián)并聯(lián)電路的特點(diǎn)　主...[繼續(xù)閱讀]

    在頻率域內(nèi),由系統(tǒng)的線性部分的頻率特性直接分析非線性單變量系統(tǒng)穩(wěn)定性的判據(jù)。使用這樣的判據(jù)分析非線性系統(tǒng)穩(wěn)定性的方法稱為波波夫法,它僅適用于能將系統(tǒng)中的非線性和線性部分分開的非線性系統(tǒng)。圖1　非線性系統(tǒng)設(shè)非...[繼續(xù)閱讀]

    一種質(zhì)地硬而脆的無(wú)機(jī)透明材料。一般玻璃是由含石英的砂子、石灰石、純堿等混合后,在高溫下熔化、成型,冷卻后制成。主要成分是二氧化硅、氧化鈉和氧化鈣。用作電氣絕緣的玻璃,最常見的是以二氧化硅為主體加入氧化硼、氧...[繼續(xù)閱讀]

    表示控制系統(tǒng)正弦傳遞函數(shù)G(jω)的對(duì)數(shù)幅頻曲線和相頻曲線的圖形。伯德圖由兩張圖組成:①G(jω)的幅值(以分貝,dB表示)-頻率(以對(duì)數(shù)標(biāo)度)對(duì)數(shù)坐標(biāo)圖,其上畫有對(duì)數(shù)幅頻曲線;②G(jω)的相角-頻率(以對(duì)數(shù)標(biāo)度)對(duì)數(shù)坐標(biāo)圖,其上畫有相頻...[繼續(xù)閱讀]

    用于制造薄膜電阻的材料。電子技術(shù)中廣泛應(yīng)用薄膜電阻材料來制造分立電阻元件及集成電路中的電阻元件。薄膜電阻材料分為兩類:碳膜和金屬膜。早期大量使用碳膜電阻,但由于工藝上的原因,碳膜電阻的容許誤差高達(dá)±10%以上,而...[繼續(xù)閱讀]

    利用不平衡狀態(tài)實(shí)現(xiàn)電阻小變化量測(cè)量的電橋。電工測(cè)量實(shí)踐中,有時(shí)并非利用電橋的平衡狀態(tài),而是根據(jù)電橋線路指示儀表的非零指示值來確定測(cè)量結(jié)果。不平衡電橋在非電量的電測(cè)量方面應(yīng)用廣泛。測(cè)量溫度變送器電阻的變化;對(duì)...[繼續(xù)閱讀]

    一種含與、或、非運(yùn)算且符合亨廷頓(E.V.Huntington)公理的代數(shù)系統(tǒng)。設(shè)S為有限集合,且其中含有兩個(gè)特定的元素0和1,則由集合S、二元運(yùn)算“與(∧)”、“或(∨)”和一元運(yùn)算“非(—)”構(gòu)成的代數(shù)系統(tǒng)B=<S,∧,∨,—,0,1>,如果滿足下述...[繼續(xù)閱讀]

    利用NMOS管和PMOS管的互補(bǔ)特性,NMOS和PMOS成對(duì)出現(xiàn)構(gòu)成的集成邏輯門電路,又稱CMOS集成門。圖1　CMOS反相器(非門)工作原理　一個(gè)CMOS反相器(非門)如圖1所示,其中V1為N溝道增強(qiáng)型MOS管,V2為P溝道增強(qiáng)型MOS管,兩管的跨導(dǎo)相等。兩管柵極連在...[繼續(xù)閱讀]

    連續(xù)信號(hào)經(jīng)采樣產(chǎn)生離散信號(hào)和離散信號(hào)近似地恢復(fù)為原連續(xù)信號(hào)。它用于采樣控制系統(tǒng)的分析研究。如圖1所示,連續(xù)信號(hào)x(t)經(jīng)采樣器采樣后成為脈沖序列。采樣器是以采樣周期T重復(fù)開閉動(dòng)作的采樣開關(guān)。經(jīng)采樣開關(guān)輸出的脈沖序...[繼續(xù)閱讀]

    在電力變壓器低壓繞組施加操作沖擊電壓,通過電磁感應(yīng)使變壓器高壓繞組的絕緣經(jīng)受過電壓考驗(yàn)的試驗(yàn)。試驗(yàn)所施加的電壓波形是模擬電力系統(tǒng)內(nèi)部由于開關(guān)操作或發(fā)生故障產(chǎn)生的一種波形,稱為操作沖擊電壓波。根據(jù)中國(guó)電力行業(yè)...[繼續(xù)閱讀]