[1]　M.J.Bowden,S.R.Turner,Eds.,ElectronicandPhotonicApplicationsofPolymers,ACSAdvancesinChemistrySeries,Vol.218,AmericanChemicalSociety,Washington,DC,1988.[2]　J.H.McCoy,W.Lee,G.L.Varnell,SolidStateTechnol.,32(3),87(1989).[3]　L.F.Thompson,C.G.Willson,M.J.B...[繼續(xù)閱讀]

    本章的目的是介紹化學(xué)氣相沉積的基本方面和技術(shù)意義。這一章并不是為了提供本領(lǐng)域全面的綜述而是著重于內(nèi)在的原理。這將為讀者提供材料化學(xué)氣相沉積(CVD)方面關(guān)鍵性問題的正確評價,如這個領(lǐng)域是如何發(fā)展到現(xiàn)在的狀況的、...[繼續(xù)閱讀]

    本節(jié)的目的是為不同的氣相沉積方法提供一個視角,其中包括這些方法的局限性、相對優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。大多數(shù)薄膜沉積方法可以分為兩類:化學(xué)氣相沉積和物理氣相沉積。除了前面各節(jié)所提到的化學(xué)氣相沉積外,目前還有很多與CVD相關(guān)的...[繼續(xù)閱讀]

    在這一節(jié),我們討論化學(xué)氣相沉積(和物理氣相沉積)作為一種沉積方法在微電子工業(yè)中的選擇性應(yīng)用,該沉積方法可以沉積純金屬、半導(dǎo)體、絕緣體和元素混合物。讀者可以參考以下關(guān)于應(yīng)用金屬CVD在集成電路的金屬化工藝中進(jìn)行薄膜...[繼續(xù)閱讀]

    在這一章里我們討論了薄膜CVD的不同方面,對化學(xué)氣相沉積工藝的關(guān)鍵特征和分子前驅(qū)體的化學(xué)和物理要求作了詳細(xì)說明?；瘜W(xué)氣相沉積按順序被分成多步來進(jìn)行描述,為了在工藝開發(fā)方面取得重要進(jìn)步,必須控制和理解其中每一步。...[繼續(xù)閱讀]

    [1]　T.T.Kodas,M.J.Hampden-Smith,TheChemistryofMetalCVD,VCH,Weinheim,Germany,1994.[2]　D.G.Whitten,T.Kajiyama,T.Kunitake,OrganicThinFilms:AnOverview,MRSBulletinMaterialsResearchSociety,Vol.XX,1995.[3]　R.West,SolidStateChemistryandItsApplications,Wiley,NewYo...[繼續(xù)閱讀]

    自從激光問世以后,光在傳輸、存儲和處理信息方面的用途愈加廣泛。由于高性能非線性光學(xué)材料的光學(xué)特性對于外部電場或者激光自身的電場具有高度敏感性,所以當(dāng)前全面開發(fā)光子技術(shù)的趨勢催生了對于該種材料的需求。非線性光...[繼續(xù)閱讀]

    6.2.1　極化的微觀描述[11]為什么一個分子(或者一種物質(zhì))在某種電場,比如光波的振蕩電場中,會產(chǎn)生極化現(xiàn)象?為了了解這個過程,我們需要想像當(dāng)電場(E)和系統(tǒng)的電荷分布相互作用時,在分子水平上到底發(fā)生了什么。這種相互作用產(chǎn)生...[繼續(xù)閱讀]

    在這一部分,我們簡單地、定性地討論了用量子方程設(shè)計非線性光學(xué)分子的方法,解釋了實(shí)驗(yàn)結(jié)果。這種理論方法描述了幾何和電子結(jié)構(gòu)的、微觀極化和超強(qiáng)極化的演變信息。本文中已經(jīng)數(shù)次回顧了這種在電場中使用的方法[8,23-25]。需...[繼續(xù)閱讀]

    我們利用NLO性質(zhì)的技術(shù)是建立在對化學(xué)結(jié)構(gòu)和分子非線性性質(zhì)的關(guān)系的理解程度之上。這是因?yàn)橛袡C(jī)材料的性質(zhì)實(shí)質(zhì)上是組成材料分子的性質(zhì)。初期具有共軛π電子的有機(jī)化合物被認(rèn)為是具有潛在非線性性質(zhì)的結(jié)構(gòu)。π電子云很容易...[繼續(xù)閱讀]