傳統(tǒng)像素設(shè)計(jì)中,像素電極和掃描線以及數(shù)據(jù)線保持一定間距,目的是防止像素信號被掃描信號和數(shù)據(jù)信號干擾,但是間隙處會導(dǎo)致漏光,因此需在彩膜側(cè)對應(yīng)位置增加BM進(jìn)行遮光,而這又導(dǎo)致開口率的降低。JAS膜為有機(jī)膜,具有和光刻膠相...[繼續(xù)閱讀]

    非晶硅TFT使用CVD(化學(xué)氣相沉積),簡單理解就是把基板放入密封的反應(yīng)室內(nèi)向其輸入反應(yīng)氣體,通過溫度、等離子體、光(UV)、電場等對分解氣體在不改變基板特性的情況下進(jìn)行固態(tài)沉積。非晶硅成膜共分為以下4個(gè)階段:(1)自由電子活性...[繼續(xù)閱讀]

    上一問與大家聊過非晶硅TFT的制造工藝,這一問介紹一下LTPSTFT的制作工藝。a-SiTFT一般為底柵5Mask結(jié)構(gòu),而LTPSTFT由于底柵結(jié)構(gòu)導(dǎo)致硅層中結(jié)晶性不佳,無法提高載流子遷移率,目前頂柵式LTPSTFT已是主流結(jié)構(gòu)。LTPSTFT與a-SiTFT主要有兩點(diǎn)制程...[繼續(xù)閱讀]

    液晶顯示作為被動發(fā)光顯示器件,開口率[1]的大小決定著背光光線透過的多少,更大的開口率對應(yīng)達(dá)到同樣面板亮度時(shí),所需的背光亮度降低,即可以使用更少的背光源,在降低功耗的同時(shí)也節(jié)省了材料成本。首先來看無JAS的像素設(shè)計(jì)。如...[繼續(xù)閱讀]

    隨著液晶顯示器尺寸的不斷增大,驅(qū)動電路的頻率不斷提高,現(xiàn)有的非晶硅薄膜晶體管的遷移率很難滿足需求。這是因?yàn)榉蔷Ч璞∧ぞw管的遷移率一般在0.5cm2/(V·s)左右,而液晶顯示器尺寸超過70英寸,驅(qū)動頻率在120Hz時(shí)就需要1cm2/(V·s...[繼續(xù)閱讀]

    在面板不良中,配線的斷線是常見的不良。在點(diǎn)燈檢查時(shí),一般是使用面板周邊的修復(fù)線進(jìn)行修復(fù)。而發(fā)生斷線有很多原因,其中一個(gè)原因是金屬配線的臺階覆蓋率(StepCoverage)太低。臺階覆蓋率的計(jì)算公式為該公式的示意圖如圖1所示。...[繼續(xù)閱讀]

    如圖1所示為ITO與Ti/Al金屬接觸圖案,其中金屬中心開孔,下方墊有半導(dǎo)體層。為什么不采用如圖2表示的簡單接觸孔樣式呢?圖1　ITO與Ti/Al金屬接觸孔圖2　理想ITO與Ti/Al金屬接觸孔如圖3所示,ITO與金屬Al直接接觸,但是Al膜會與ITO膜之間由于...[繼續(xù)閱讀]

    在液晶顯示像素中,需要在像素電極下方配置存儲電極,與像素電極之間形成存儲電容(如圖1所示)。圖1　液晶像素示意圖至于為什么需要設(shè)置存儲電容,很多教科書都有詳細(xì)的解釋,比較典型的是水桶原理。這個(gè)比喻看似形象卻很難準(zhǔn)確...[繼續(xù)閱讀]

    ESD(ElectroStaticDischarge)的意思是“靜電釋放”。ESD是20世紀(jì)中期以來形成的以研究靜電的產(chǎn)生、危害及靜電防護(hù)等為主的學(xué)科,國際上習(xí)慣將用于靜電防護(hù)的器材統(tǒng)稱為ESD。在大規(guī)模半導(dǎo)體制造業(yè)中,ESD一直扮演著重要角色,尤其對于TF...[繼續(xù)閱讀]

    圖1　單色亮線不良示意圖以TN模式液晶顯示屏幕為例,點(diǎn)燈檢查時(shí)在黑畫面下出現(xiàn)單色均一亮線不良(如圖1所示),稱為濃密D線。因?yàn)門N為常白模式,液晶層有電壓差時(shí)才會變?yōu)楹谏?出現(xiàn)亮線是因?yàn)閿?shù)據(jù)信號未灌入數(shù)據(jù)線中。由于亮線無...[繼續(xù)閱讀]