之前有講到濃密D線不良產(chǎn)生的原因是框膠內(nèi)數(shù)據(jù)線金屬配線通過金球與彩膜側(cè)共通電極短路,以下提供一些預(yù)防濃密D線發(fā)生的方法。(1)去除數(shù)據(jù)線上方的ITO層(如圖1所示),即使金球與金屬線導(dǎo)通,由于上側(cè)無共同電極,也不會(huì)發(fā)生短路...[繼續(xù)閱讀]
海量資源,盡在掌握
之前有講到濃密D線不良產(chǎn)生的原因是框膠內(nèi)數(shù)據(jù)線金屬配線通過金球與彩膜側(cè)共通電極短路,以下提供一些預(yù)防濃密D線發(fā)生的方法。(1)去除數(shù)據(jù)線上方的ITO層(如圖1所示),即使金球與金屬線導(dǎo)通,由于上側(cè)無共同電極,也不會(huì)發(fā)生短路...[繼續(xù)閱讀]
一般而言,一片TFT-LCD面板需使用到兩片玻璃基板,分別供作陣列玻璃基板及彩色濾光片之底板使用。通常玻璃基板制造供貨商對(duì)于液晶面板組裝廠及其彩色濾光片加工制造廠之玻璃基板供應(yīng)量之比例為1∶1.1至1∶1.3。LCD所用之玻璃基板...[繼續(xù)閱讀]
在TN型或者VA型液晶顯示器中,彩膜側(cè)需要設(shè)置ITO共通電極,與陣列側(cè)像素電極形成垂直電場(chǎng)。彩膜側(cè)ITO薄膜厚度一般為1500Å左右,而陣列側(cè)ITO薄膜厚度一般在500Å左右。同樣是ITO薄膜,為何有如此差異?其實(shí)原因很簡(jiǎn)單。彩膜側(cè)主要...[繼續(xù)閱讀]
Mask(光掩膜)類似于照相機(jī)的底片(如圖1所示),可以多次在玻璃基板上重復(fù)相同的圖案,復(fù)制比例為1∶1(如圖2所示)。圖1 照片底片與照片的關(guān)系圖2 Mask與玻璃基板的關(guān)系以8.5代線Mask來看,通過一次曝光形成完整面板圖形,其縱向可以放...[繼續(xù)閱讀]
WOA(WireonArray)即在陣列基板上配置走線(如圖1所示)。WOA是用來替代FPC來連接Gate及Data側(cè)信號(hào),其發(fā)展過程如圖2所示。采用這種方式可以減少面板的重量,降低面板的成本。圖1 WOA布局圖圖2 WOA發(fā)展過程...[繼續(xù)閱讀]
銅制程是基于現(xiàn)有的鋁制程而言的,其核心是將現(xiàn)有面板中的鋁金屬替換為銅金屬。而使用銅制程主要是因面板的解析度提高,顯示頻率的增加所導(dǎo)致的必然結(jié)果(如圖1所示)。圖1 LCD面板尺寸與分辨率關(guān)系液晶面板的發(fā)展方向是高分...[繼續(xù)閱讀]
在制作掩膜板(Mask)的最后,需要在圖層表面裝上保護(hù)膜(蒙皮),目的是為了保護(hù)Mask上不會(huì)吸附灰塵,避免產(chǎn)生曝光不良。雖說裝配了保護(hù)膜可以讓掩膜板遠(yuǎn)離灰塵,但是灰塵粘附在保護(hù)膜上就不會(huì)產(chǎn)生曝光問題嗎?答案是顯然的。如圖1所...[繼續(xù)閱讀]
在LTPSTFT工藝中,如使用NMOS結(jié)構(gòu),需要在源漏重?fù)絽^(qū)域與溝道之間增加LDD(LightlyDopedDrain,輕摻雜漏區(qū))結(jié)構(gòu),而PMOS則不需要。究其原因,我們整理了一些內(nèi)容供大家參考。LDD結(jié)構(gòu)是金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)為了減弱漏區(qū)電場(chǎng),以改進(jìn)熱電子退...[繼續(xù)閱讀]
在TFT-LCD中,彩膜(CF)有紅、綠、藍(lán)三種顏色單元,這三種顏色單元之間由一種黑色不透光的物質(zhì)填充以防止漏光及影響TFT-LCD光電特性。CF陣列的特性與所采用的處理技術(shù)非常密切。CF表面必須要盡可能的光滑才能得到高純度且色散極小...[繼續(xù)閱讀]
黑色矩陣是沉積在三基色(RGB)圖案之間的不透光的部分,其主要的作用是防止背光泄露,提高顯示對(duì)比度,防止混色和增加顏色的純度。在彩膜基板發(fā)展初期,往往采用鉻膜作為黑色矩陣材料。鉻材料具有高遮光性、膜厚薄、穩(wěn)定性高、...[繼續(xù)閱讀]