在區(qū)熔再結晶ZMR工藝調整的許可范圍內,更高的成本可以直接轉化為掃描速度的增加。原則上,ZMR不是高投資的工藝,所以主要的投資成本來自于單位面積的工藝成本。進一步的計算表明,為了使ZMR成本低于10/m2,工藝的掃描速度必須高于...[繼續(xù)閱讀]

    在20世紀80年代初就有報道,用非相干光源作為熱源的區(qū)熔再結晶ZMR制備Si薄膜,用于微電子領域的絕緣體上硅SOI應用[101]。10年之后,ZMR應用于異質襯底晶體硅薄膜太陽能電池的研究,先是日本三菱電機在1996年的報道[102],而后是德國弗勞...[繼續(xù)閱讀]

    我們已經詳細地討論了區(qū)熔再結晶ZMR工藝中溫度梯度、生長形貌和缺陷密度之間的關系。根據這些討論,結晶面溫度梯度的精確控制對生長高質量ZMR薄膜非常重要。雖然不容易直接測量溫度梯度的數值,但是利用熔化Si的反射率變化...[繼續(xù)閱讀]

    之前章節(jié)的討論表明,即使用單晶硅或多晶硅硅片作為模型襯底,區(qū)熔再結晶ZMR生長Si薄膜的質量也依賴于襯底的數個參數。如果用非理想的陶瓷襯底,ZMR更加會受到陶瓷襯底較差特性參數的影響。區(qū)別于Si模型襯底,陶瓷襯底的以下幾個...[繼續(xù)閱讀]

    太陽能行業(yè)幾乎所有的研發(fā)力量都集中于降低單位Wp的成本。成本效益也是未來Si沉積設備和工藝的最重要要求。通過簡單的計算,沉積Si層的成本上限為30/m2,并且要求沉積工藝實現高質量的Si薄膜,才能制備具有較大商業(yè)價值的異質襯...[繼續(xù)閱讀]

    常壓化學氣相沉積APCVD的前驅物是SiHCl3-H2系統(tǒng),對應的生長速率,即沉積速率,依賴于沉積溫度、氣相成分和總氣壓,這很容易得到實驗的證實(demonstration)。為了確定最優(yōu)化的工作點和最優(yōu)化的反應腔幾何設計,對沉積反應建立分析模型不...[繼續(xù)閱讀]

    常壓化學氣相沉積APCVD的化學產率,即Si的轉換效率,定義為初始氣相Si轉換為固相Si的效率。比較初始氣相Si/Cl摩爾比例和熱平衡狀態(tài)沉積溫度下最終的Si/Cl比例,可以給出Si沉積反應理論上耗用的SiHCl3。用SiHCl3作為前驅氣體的初始Si/Cl比...[繼續(xù)閱讀]

    微電子領域使用的外延反應腔由于成本原因,不適合制備異質襯底晶體硅薄膜太陽能電池(參見2.4.2節(jié))。異質襯底晶體硅薄膜太陽能電池Si沉積的設備研究專注于:●大面積的分批式反應腔;●高生產速率的連續(xù)在線式反應腔。數個研究...[繼續(xù)閱讀]

    異質襯底晶體硅薄膜太陽能電池需要兩種不同類型的Si沉積工藝。第1種沉積制備在襯底/中間層上,得到的多晶硅薄膜晶粒尺寸在μm量級。之后的區(qū)熔再結晶ZMR工藝要求這樣的Si層滿足:●厚度1～5μm;●厚度均勻度為90%～95%;●很好的結...[繼續(xù)閱讀]

    在SiO2或其他中間層上用SiHCl3通過常壓化學氣相沉積APCVD進行多晶硅沉積,是微電子領域的常規(guī)工藝。2.4.3節(jié)描述的反應腔和工藝適用于異質襯底晶體硅薄膜太陽能電池,在鍍有SiO2的Si襯底上沉積多晶硅層,之后經過區(qū)熔再結晶ZMR形成籽晶...[繼續(xù)閱讀]