海量資源,盡在掌握
 異質(zhì)襯底晶體硅薄膜太陽能電池需要兩種不同類型的Si沉積工藝。第1種沉積制備在襯底/中間層上,得到的多晶硅薄膜晶粒尺寸在μm量級(jí)。之后的區(qū)熔再結(jié)晶ZMR工藝要求這樣的Si層滿足:●厚度1~5μm;●厚度均勻度為90%~95%;●很好的結(jié) (共 1312 字) [閱讀本文] >>