[1]R.Brendel,D.Scholten.Modelinglighttrappingandelectronictransportofwaffle-shapedcrystallinethin-filmSisolarcells[J].AppliedPhysicsA:MaterialsandScienceProcessing,1999,A69(2):201-213.　[2]J.Palm,W.Krühler,W.Kusian,A.Lerchenberger,A.L.Endrös,G.Mihalik...[繼續(xù)閱讀]

    數(shù)十年來,研究太陽能技術的科學家一直在尋求用非硅材料的異質襯底和Si鍍膜工藝來制備薄膜太陽能電池。這種硅基薄膜太陽能電池(silicon-basedthinfilmsolarcell)概念的優(yōu)勢是:大幅度地減少昂貴的太陽能級硅耗用量,而且可以完全不用硅...[繼續(xù)閱讀]

    制備異質襯底晶體硅薄膜太陽能電池的高溫工藝具有較高的Si沉積速率,而且再結晶后的晶粒尺寸較大,外延層的缺陷密度較低。但是,必要的溫度穩(wěn)定性(temperaturestability)限制了異質襯底材料的選擇,因為需要滿足以下要求:●機械穩(wěn)定性...[繼續(xù)閱讀]

    異質襯底晶體硅薄膜太陽能電池可以選用的低成本異質襯底包括:●Si3N4陶瓷[19,20];●ZrSiO[21]4;●滲硅碳化硅(SiliconinfiltratedSiliconCarbide,SiSiC)陶瓷[22];●反應結合碳化硅(ReactionBondedSiliconCarbide,RBSiC)陶瓷[23];●基于Al2O3的陶瓷[24];●富鋁紅...[繼續(xù)閱讀]

    因為晶體硅是間接帶隙半導體,需要一定的陷光結構,才能提高異質襯底晶體硅薄膜太陽能電池的轉換效率。如果不增加光程長,就不能體現(xiàn)晶體硅薄膜的優(yōu)勢,即低材料質量要求情況下的高開路電壓Voc潛力。事實上,運用低溫工藝實現(xiàn)商...[繼續(xù)閱讀]

    中間層不但有陷光作用,還是針對襯底雜質的擴散阻擋層。原則上,在異質襯底晶體硅薄膜太陽能電池中,任何化學元素都是對Si有源層的雜質污染,而我們重點關注的雜質元素由以下三個原則界定:●原材料中濃度較大的元素:過渡金屬...[繼續(xù)閱讀]

    如果通過高溫的化學氣相沉積CVD在異質襯底上沉積Si薄膜,典型的晶粒尺寸在μm量級。到目前為止,運用傳統(tǒng)晶體硅薄膜太陽能電池工藝,將這種Si薄膜制備為p-n結,得到的最高轉換效率低于6%[26,53,54]。但是,通過固相再結晶或液相再結晶...[繼續(xù)閱讀]

    為了了解區(qū)熔再結晶ZMR的機理,需要通過實驗分析ZMR生長薄膜的形貌(morphology或topography)。對ZMR生長的薄膜進行射哥蝕刻(Seccoetch),薄膜會出現(xiàn)典型的缺陷結構。對Si薄膜的射哥蝕刻是一種擇優(yōu)蝕刻(preferentialetch或selectiveetch)。按照2∶1的...[繼續(xù)閱讀]

    區(qū)熔再結晶ZMR的最重要作用是增大籽晶層的晶粒尺寸,其機理的解釋參見2.3.2節(jié)。對ZMR之前和之后的籽晶層分別進行射哥蝕刻,可以觀測其晶體結構的橫截面:●ZMR之前的剛沉積后層:典型的剛沉積后層中,晶粒尺寸在μm量級,最先沉積的...[繼續(xù)閱讀]

    2.3.2節(jié)討論了區(qū)熔再結晶ZMR工藝中亞晶界缺陷的形成機理。在ZMR工藝步驟后,高摻雜的Si薄膜需要通過外延生長,形成正常摻雜的較厚Si薄膜,才能制備異質襯底晶體硅薄膜太陽能電池。所以,ZMR籽晶層的缺陷與外延生長薄膜的關系非常重...[繼續(xù)閱讀]