(1)陽極鞘層的結(jié)構(gòu)陽極鞘層除鞘電壓的大小外,本質(zhì)上與浮置基板前的等離子體鞘相同。為滿足Bohm判據(jù),進(jìn)入鞘層的離子必須要有(kTe)/e的能量,因此也有一個(gè)準(zhǔn)中性的過渡區(qū)。陽極鞘層的厚度很薄,通常比陰極鞘層約小一個(gè)數(shù)量級。但...[繼續(xù)閱讀]

    輝光放電中的陰極鞘層和陽極鞘層是等離子體與電極接觸而產(chǎn)生的。實(shí)際上當(dāng)?shù)入x子體與容器壁接觸或在等離子體中插入任何一個(gè)絕緣體的表面也都會(huì)產(chǎn)生鞘層。等離子體化學(xué)中的許多現(xiàn)象和工藝技術(shù)都與電極或基片表面附近鞘層...[繼續(xù)閱讀]

    圖3-10是高頻等離子體發(fā)生裝置的方框圖。圖3-10高頻等離子體發(fā)生裝置的方框圖其中高頻振蕩器必須能承受負(fù)載阻抗的大幅度變化。從振蕩器發(fā)出的信號先經(jīng)過脈沖放大器放大,再經(jīng)過功率放大后輸出。阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)是為了使負(fù)載阻...[繼續(xù)閱讀]

    平行板型等離子體反應(yīng)裝置的等效電路如圖3-13所示。圖3-13平行板型等離子體反應(yīng)裝置的等效電路...[繼續(xù)閱讀]

    電場頻率的變化將會(huì)對放電現(xiàn)象和特征,放電條件和結(jié)果都產(chǎn)生明顯的影響,其原因在于擊穿機(jī)制發(fā)生了變化。在交流電場中,若要使放電不受頻率影響,電極間的帶電粒子就必須在1/4周期內(nèi)完全進(jìn)入電極而不在極間形成空間電荷,否則放...[繼續(xù)閱讀]

    高頻放電在增強(qiáng)電離和維持放電等方面比直流輝光放電有效得多,這已被許多實(shí)驗(yàn)事實(shí)所證明。首先,隨著頻率的增加,能夠產(chǎn)生自持放電的最低允許氣壓明顯下降。當(dāng)頻率為13.56MHz時(shí)氣壓低于1.33×10-1Pa還可維持放電。另外,放電氣壓相...[繼續(xù)閱讀]

    從上述的討論中已經(jīng)可以看到高頻放電的優(yōu)點(diǎn)。如無電極放電獲得純凈的等離子體,增強(qiáng)電離提高放電效率等等。除此以外,還有一種情況,即當(dāng)電極上覆蓋絕緣性物質(zhì)時(shí),就必須采用高頻放電不可了。電極上有絕緣層的情況在等離子體...[繼續(xù)閱讀]

    在高頻放電回路中,為了增加用于放電區(qū)的功率消耗保護(hù)振蕩器,常規(guī)的做法就是在高頻電源與輝光放電反應(yīng)器之間設(shè)置阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)。以便可以按不同放電條件進(jìn)行調(diào)節(jié),使得高頻發(fā)生器和負(fù)載阻抗能夠匹配。根據(jù)無線電原理,對于一...[繼續(xù)閱讀]

    高頻電極的自偏壓是一個(gè)重要的問題。但是并不是所有的射頻放電裝置都會(huì)產(chǎn)生自偏壓。如果射頻放電回路中沒有隔直電容器,則不會(huì)產(chǎn)生自偏壓如圖3-19(a)所示。如果射頻放電回路中有隔直電容器,則會(huì)產(chǎn)生自偏壓如圖3-19(b)所示。圖...[繼續(xù)閱讀]

    高頻放電的電位分布隨反應(yīng)裝置的結(jié)構(gòu)而異,不能一概而論。但無論如何,等離子體區(qū)總是呈最高電位,即等離子體電位Vp。器壁或置于等離子體中的絕緣性物質(zhì)表面總是成浮置電位Vf。一般說來Vp約比Vf高10V左右。下面根據(jù)不同的反應(yīng)裝...[繼續(xù)閱讀]