進一步克隆了Lemont和Dular根系Lsi1基因的開放閱讀框(ORF),測序后進行相似性比對,結(jié)果顯示,Lemont和Dular根系Lsi1基因序列相似性程度高,僅2個堿基存在差異;將其翻譯為氨基酸序列重新比對,結(jié)果表明,Lemont和Dular根系Lsi1基因編碼的氨基酸序...[繼續(xù)閱讀]

    對轉(zhuǎn)基因及野生型水稻根系Lsi1基因的半定量RT-PCR及定量PCR檢測結(jié)果表明:轉(zhuǎn)入Lsi1基因RNAi載體的Lemont水稻根系Lsi1基因表達量較野生型植株下降了53%,說明通過RNAi能夠降低Lemont水稻Lsi1基因的表達量;轉(zhuǎn)入Lsi1基因過量表達載體的Lemont水稻...[繼續(xù)閱讀]

    進一步測定Lsi1RNAi的Lemont和Lsi1過量表達的Lemont水稻根系的硅吸收能力及葉片硅含量,結(jié)果發(fā)現(xiàn),Lsi1RNAi的Lemont每克根干重7d的硅吸收量為18.90mg,顯著低于相同條件下的野生型植株(49.65mg)。與此同時,Lsi1過量表達的Lemont水稻根系的硅吸收能...[繼續(xù)閱讀]

    觀察各水稻表現(xiàn)型發(fā)現(xiàn),Lsi1增強表達的Lemont水稻葉片形態(tài)未發(fā)生明顯變化。然而,當(dāng)Lsi1被抑制表達后,即水稻硅吸收量顯著下降時,轉(zhuǎn)基因Lemont水稻葉片出現(xiàn)黃色斑紋(圖2-21),說明水稻硅含量降低將導(dǎo)致其葉片形態(tài)發(fā)生變化,推測此變化可...[繼續(xù)閱讀]

    應(yīng)用半定量RT-PCR檢測苯丙氨酸解氨酶(PAL)及光裂解酶(photolyase)的基因表達,結(jié)果發(fā)現(xiàn),缺硅培養(yǎng)的野生型Lemont水稻葉片的PAL及photolyase的基因表達量都低于正常硅營養(yǎng)條件的野生型Lemont;UV-B輻射后,兩種營養(yǎng)條件下的水稻葉片的PAL及photo...[繼續(xù)閱讀]

    測定各水稻葉片的總酚、類黃酮含量,結(jié)果顯示,缺硅條件下野生型Lemont葉片每100g鮮葉的總酚、類黃酮含量分別為20.77mg和8.31mg;同時正常硅營養(yǎng)條件下Lsi1RNAi轉(zhuǎn)基因Lemont水稻葉片每100g鮮葉的總酚、類黃酮含量分別為23.79mg和8.11mg,均顯著...[繼續(xù)閱讀]

    為進一步揭示UV-B輻射下,Lsi1基因抗UV-B輻射的分子調(diào)控基礎(chǔ),結(jié)合前期研究獲得的Lsi1過量表達的Dular,應(yīng)用抑制消減雜交(SSH)分別分離鑒定UV-B輻射下,Lsi1-RNAi轉(zhuǎn)基因Lemont、Lsi1過量表達的Lemont較野生型Lemont的差異表達基因,Lsi1過量表達的...[繼續(xù)閱讀]

    正常硅營養(yǎng)條件下,水稻根系Lsi1被抑制表達的轉(zhuǎn)基因Lemont水稻葉片的PAL基因表達較其野生型植株也發(fā)生下調(diào),總酚、類黃酮的含量顯著下降,此結(jié)果與缺硅營養(yǎng)種植的野生型植株相似,說明抑制根系Lsi1基因表達將導(dǎo)致水稻防御UV-B輻射能...[繼續(xù)閱讀]

    通過分光光度法測定并建立硅含量的標(biāo)準(zhǔn)曲線(圖2-23),進而對UV-B輻射條件下和自然光照條件下(CK),各供試水稻品種的硅含量進行比較。圖2-23硅含量的標(biāo)準(zhǔn)曲線結(jié)果再次顯示,抗UV-B輻射水稻品種Lemont的硅含量高于UV-B輻射敏感水稻品種...[繼續(xù)閱讀]

    為檢測UV-B輻射對不同硅含量水稻葉片DNA的損傷程度,進一步分別提取了UV-B輻射前后Lemont、Dular及其Lsi1過量表達的轉(zhuǎn)基因植株葉片的DNA(圖2-25),用于測定DNA中的CPD和6-4-PPDNA含量。采用ELISA法測定不同水稻樣品的吸光值結(jié)合標(biāo)準(zhǔn)曲線(圖...[繼續(xù)閱讀]