DR檢測(cè)技術(shù)是近幾年發(fā)展起來(lái)的全新數(shù)字化成像技術(shù),在兩次照相之間不需更換成像板,數(shù)據(jù)的采集僅僅需要幾秒就可以觀察到圖像,但數(shù)字平板不能進(jìn)行分割和彎曲。整個(gè)系統(tǒng)由X射線機(jī)、數(shù)字平板、數(shù)字圖像處理軟件和計(jì)算機(jī)組成,見...[繼續(xù)閱讀]
海量資源,盡在掌握
DR檢測(cè)技術(shù)是近幾年發(fā)展起來(lái)的全新數(shù)字化成像技術(shù),在兩次照相之間不需更換成像板,數(shù)據(jù)的采集僅僅需要幾秒就可以觀察到圖像,但數(shù)字平板不能進(jìn)行分割和彎曲。整個(gè)系統(tǒng)由X射線機(jī)、數(shù)字平板、數(shù)字圖像處理軟件和計(jì)算機(jī)組成,見...[繼續(xù)閱讀]
非晶硅數(shù)字平板結(jié)構(gòu)是由玻璃襯底的非結(jié)晶硅陣列板,表面涂有閃爍體——碘化銫(CsI)或硫氧化釓(GOS),其下方按陣列方式排列薄膜晶體管電路(TFT)所組成。TFT像素單元的大小直接影響圖像的空間分辨率,每一個(gè)單元具有電荷接收電極信...[繼續(xù)閱讀]
非晶硒數(shù)字平板成像原理可稱為直接成像,非晶硒數(shù)字平板結(jié)構(gòu)與非晶硅不同,其表面直接用硒涂層,當(dāng)X射線撞擊硒層時(shí),硒層直接將X射線轉(zhuǎn)化成電荷,存儲(chǔ)于TFT內(nèi)的電容器中,所存的電容與其后產(chǎn)生的影像黑度成正比。掃描控制器讀取電...[繼續(xù)閱讀]
CMOS數(shù)字平板是掃描式圖像接收板,也是直接成像技術(shù)的一種,由集成的CMOS記憶芯片構(gòu)成,是互補(bǔ)金屬氧化物硅半導(dǎo)體。CMOS數(shù)字平板技術(shù)是把所有的電子控制和放大電路放置在每一個(gè)圖像探頭上,其內(nèi)部有一個(gè)類似于掃描儀的移動(dòng)系統(tǒng)...[繼續(xù)閱讀]
系統(tǒng)圖像的構(gòu)成要素包括像素和灰度。1.像素像素是構(gòu)成數(shù)字圖像的最小組成單元和顯示圖像中可識(shí)別的最小幾何尺寸。如果把數(shù)字圖像放大許多倍,會(huì)發(fā)現(xiàn)這些連續(xù)圖像其實(shí)是由許多小點(diǎn)組成,像素越多,單個(gè)像素的尺寸越小,圖像的...[繼續(xù)閱讀]
X射線數(shù)字成像系統(tǒng)的主要指標(biāo)有圖像分辨率、圖像不清晰度、幾何不清晰度、固有不清晰度、對(duì)比靈敏度。1.圖像分辨率圖像分辨率又稱圖像空間分辨率,是顯示圖像中兩個(gè)相鄰的細(xì)節(jié)的分辨能力,用每毫米范圍內(nèi)的可識(shí)別線對(duì)數(shù)表示...[繼續(xù)閱讀]
對(duì)X射線來(lái)說(shuō),穿透力取決于管電壓,管電壓越高則射線的質(zhì)越硬,在試件中的衰減系數(shù)越小,穿透厚度越大。從靈敏度角度考慮X射線選擇的原則是,在保證穿透力的前提下,選擇能量較低的X射線,從而獲得較高的對(duì)比度。圖3-2是不同材料、...[繼續(xù)閱讀]
曝光量是射線透照的一個(gè)重要參數(shù),是指管電流與照射時(shí)間的乘積。曝光量不只影響影像的黑度,也影響影像的對(duì)比度及信噪比,從而影響影像可記錄的最小細(xì)節(jié)尺寸。為保證射線照相質(zhì)量,曝光量應(yīng)不低于某一最小值。在進(jìn)行電網(wǎng)帶電...[繼續(xù)閱讀]
焦距對(duì)射線照相靈敏度的影響主要表現(xiàn)在幾何不清晰度上,焦距越大,幾何不清晰度越小,成像板上的影像越清晰,在保證影像質(zhì)量的前提下,應(yīng)盡量選擇較大焦距。但也不能提高焦距太大,造成曝光量加大,增加不必要的輻射。圖3-3是330...[繼續(xù)閱讀]
射線透照時(shí)射線束中心應(yīng)垂直指向透照區(qū)域中心,但在進(jìn)行電網(wǎng)帶電設(shè)備的射線檢測(cè)時(shí),由于現(xiàn)場(chǎng)工作場(chǎng)所的限制,很多時(shí)候現(xiàn)場(chǎng)架設(shè)X射線機(jī)非常困難,使射線束中心不能垂直指向透照區(qū)域中心,造成透照的影像隨透照方向的不同,內(nèi)部部...[繼續(xù)閱讀]