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 絕緣柵雙極晶體管(Insulated-GateBipolarTransistor,IGBT)是一種場(chǎng)控復(fù)合器件,由MOSFET器件發(fā)展而來,其將高阻抗和小功率門極輸入結(jié)合起來,具有較高的開關(guān)速度和較低的導(dǎo)通損耗。IGBT的工作特性與雙極晶體管類似,但卻有著與晶閘管類似的雙 (共 642 字) [閱讀本文] >>