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 晶體的生長過程由擴(kuò)散和表面化學(xué)反應(yīng)相繼組成。在晶體的表面始終存在著一層滯流層(薄膜),經(jīng)過滯流層的物質(zhì)傳遞只能靠分子擴(kuò)散。擴(kuò)散的推動(dòng)力是液相主體濃度C和晶體表面濃度Ci的差(圖5-4)。Ci不等于平衡濃度C*,它們的差值Ci- (共 603 字) [閱讀本文] >>