理想的真空間隙是指電極表面光滑的真空間隙。高真空間隙中,氣體分子的平均自由行程很長(zhǎng),比真空開(kāi)關(guān)中的觸頭間隙距離大一個(gè)數(shù)量級(jí)。氣體分子的碰撞游離基本不起作用,這就是高真空間隙具有很高絕緣強(qiáng)度的根本原因。高真空 (共 180 字) [閱讀本文] >>
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 理想的真空間隙是指電極表面光滑的真空間隙。高真空間隙中,氣體分子的平均自由行程很長(zhǎng),比真空開(kāi)關(guān)中的觸頭間隙距離大一個(gè)數(shù)量級(jí)。氣體分子的碰撞游離基本不起作用,這就是高真空間隙具有很高絕緣強(qiáng)度的根本原因。高真空 (共 180 字) [閱讀本文] >>