選擇好感興趣的視場,正確選擇衍射條件,拍攝含有待測位錯的顯微圖像及相應的選區(qū)域衍射譜,這是b測定工作的前提。遺漏衍射數據,事后找回視場進行補測,幾乎是不可能的。實驗中常常是將位錯反應分析和b測定工作結合進行,因此要...[繼續(xù)閱讀]

    先定義幾個決定襯度分布的參數:n為操作反射g在位錯柏氏矢量b方向上的投影值,即g·b=n。s為偏離參量,反映襯度觀察時,g偏離布拉格條件程度大小的參數。x為計算位錯襯度(衍射振幅)時,表征討論點相對于位錯核心處、且垂直于位錯線...[繼續(xù)閱讀]

    區(qū)別于特定的衍射條件所形成的位錯雙像和位錯偶與超點陣位錯這種實際上真實存在的兩根成對位錯,是十分重要的。位錯偶是分別位于相鄰兩平行滑移面上的符號相反的兩平行位錯,如圖5-3(a)。超點陣位錯則是位于同一滑移面上柏氏...[繼續(xù)閱讀]

    不全位錯是層錯和周圍完整晶體的邊界,兩不全位錯可同時也可單根顯示襯度,也可二者均無襯度;二不全位錯間的層錯有時顯示條紋襯度,有時襯度消失,依成像衍射條件而定。通常,將不全位錯和層錯的襯度結合起來進行分析。作為示...[繼續(xù)閱讀]

    判定位錯像在其真實位錯的哪一側的方法,是分析位錯環(huán)性質的常用方法。實際工作中,我們關心這些位錯環(huán)是由空位片上下原子面的崩塌而形成的“空位環(huán)”,還是由間隙原子片嵌入完整晶體而形成的“間隙環(huán)”?前者是合金從高溫淬...[繼續(xù)閱讀]

    1.Frank-Read位錯源發(fā)出的位錯環(huán)通常低倍下在晶體表面觀察到的滑移線是位錯運動滑出晶體留下的變形痕跡。一條滑移帶的滑移量約100～200nm,而一根位錯產生的滑移量僅為b,相當于0.1nm。這就是說,一條滑移帶是成千根位錯滑出晶體的貢...[繼續(xù)閱讀]

    1.對位錯像襯的影響成像時若某一個低階反射或多束被激發(fā),必須采用考慮吸收的動力學理論分析位錯像襯。這時位錯的襯度(強度)輪廓與位錯所在處的深度關系極大。Howie和Whelan[36]曾討論過傾斜位錯的像襯特征,是動力學效應的一個...[繼續(xù)閱讀]

    位錯密度是研究材料形變過程和微觀結構對力學性能影響的重要參數。測定位錯密度的方法有二,一是X-射線方法,它是根據位錯密度對X-射線展寬的函數關系建立起來的方法。它雖不能在測量時同時看到位錯,但它的結果反映了一定的...[繼續(xù)閱讀]

    位錯密度ρ定義為晶體單位體積內所含位錯線的總長度,即V為被測量區(qū)域晶體的體積,L為該體積內位錯總長度。單位為cm-2。實際工作中測量L和V的準確值均有困難。但按體視學原理,經過簡單推導,可以得到位錯密度與位錯交截單位面積...[繼續(xù)閱讀]

    如前所述,全位錯分解為兩不全位錯,它們之間夾著一片層錯。擴展位錯是兩不全位錯與層錯的統(tǒng)稱。顯然,分析層錯和分析作為層錯邊界的不全位錯直接相關。從擴展位錯分析中,歸納出如下幾點,對從整體上把握擴展位錯的分析是有益...[繼續(xù)閱讀]