位錯(cuò)(Dislocation)的概念是1934年泰勒(G.I.Taylor)等[11]最早為解釋材料的實(shí)驗(yàn)強(qiáng)度和理論強(qiáng)度之間的巨大差異而提出來的。直到22年后的1956年前后,才由博爾曼(W.Bollman)、赫爾什(P.B.Hirsch)和門特(J.W.Menter)等的著名實(shí)驗(yàn)直接觀察到這種缺陷。...[繼續(xù)閱讀]

    理論計(jì)算表明完整晶體的理論切變強(qiáng)度應(yīng)為G/2π,而一般晶體切變模量G=104～105N/mm2,故G/2π是一個(gè)非常大的值,它比實(shí)際測(cè)得的臨界切應(yīng)力要大好幾個(gè)數(shù)量級(jí)。由此推測(cè),實(shí)際晶體遠(yuǎn)不是完整的,必定存在某種缺陷,原子并非都位于其理想陣...[繼續(xù)閱讀]

    1.柏氏矢量b的確定上述介紹中我們雖然已經(jīng)引用柏氏矢量這個(gè)參量,但未給出嚴(yán)格定義,對(duì)這個(gè)重要參量的性質(zhì)也未討論。為了給讀者在今后電鏡分析中應(yīng)用這一參數(shù)時(shí)有一形象而具體的概念,下面有必要對(duì)此作若干補(bǔ)充。含缺陷晶體...[繼續(xù)閱讀]

    用此作圖法可以將面心立方晶體中的全位錯(cuò)和不全位錯(cuò)以及可能的位錯(cuò)反應(yīng)全部表示出來。方法是:以[100]、[010]和[001]為坐標(biāo)軸,以面心立方三個(gè)相互垂直、交于原點(diǎn)的三個(gè)面的面心和原點(diǎn)為頂點(diǎn)作四面體ABCD,如圖4-6(a)。D是坐標(biāo)原點(diǎn)。...[繼續(xù)閱讀]

    如圖4-7所示,OCA是六方密排單胞底面上的一個(gè)三角形。O為單胞底面的中心。σ是所選取OCA三角形的中心。取Oσ為p,OA=a,AB=c。另取S、T為ΔOCA中心σ所對(duì)應(yīng)的上下兩個(gè)原子層上的原子,S、σ、T連結(jié)的直線垂直于△OCA,即六面體OCAST加AB、OB兩...[繼續(xù)閱讀]

    許多金屬材料在生長過程或外力作用下,可以發(fā)生不同于正常排列順序的一種錯(cuò)排,形成面缺陷,稱為層錯(cuò)。和位錯(cuò)一樣,它們也是材料中經(jīng)常出現(xiàn)的一種缺陷。這種面缺陷和材料的力學(xué)性能有非常密切的關(guān)系,受到材料工作者的關(guān)注,也...[繼續(xù)閱讀]

    金屬的范性形變有三種基本形式:滑移、孿生和扭折。1.滑移過程的位錯(cuò)機(jī)制金屬一般都具有一個(gè)以上的滑移系統(tǒng)。滑移面和滑移方向組成滑移系統(tǒng)。當(dāng)晶體取向正好使得沿某一滑移系統(tǒng)上的分切應(yīng)力達(dá)到某臨界值時(shí),將發(fā)生單滑移形...[繼續(xù)閱讀]

    金屬與合金的強(qiáng)化是一個(gè)牽涉問題很廣的問題,即使是十分簡略地給出它的一個(gè)概貌,也遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了本書的范圍。但是作為材料工作者利用電鏡研究材料微觀結(jié)構(gòu)的變化,又回避不了對(duì)位錯(cuò)的分析,因?yàn)榻牧蠌?qiáng)化理論是建立在位錯(cuò)理...[繼續(xù)閱讀]

    材料微觀斷裂理論的基礎(chǔ)是位錯(cuò)理論,位錯(cuò)理論已成功地應(yīng)用于材料的強(qiáng)度和斷裂機(jī)制的分析。這種應(yīng)用也推動(dòng)了位錯(cuò)理論本身的發(fā)展,今天,位錯(cuò)理論比過去任何時(shí)候都完善充實(shí),許多新的位錯(cuò)組態(tài)和反應(yīng)過程正是在它應(yīng)用于材料科學(xué)...[繼續(xù)閱讀]

    據(jù)電子衍射運(yùn)動(dòng)學(xué)理論:對(duì)像襯有貢獻(xiàn)的衍射振幅Φg由兩部分組成,即右邊第一項(xiàng)exp(-2πisz)為完整晶體對(duì)襯度的貢獻(xiàn);第二項(xiàng)exp(-2πig·R)為缺陷(這里指位錯(cuò))對(duì)襯度的貢獻(xiàn)。式中g(shù)是對(duì)襯度作出主要貢獻(xiàn)的操作反射的倒易矢量。在雙束成像...[繼續(xù)閱讀]