智能計(jì)量裝置5G通訊技術(shù)關(guān)鍵半導(dǎo)體材料碳化硅制造優(yōu)化

摘要： 為提高5G通訊關(guān)鍵半導(dǎo)體材料碳化硅的生長(zhǎng)速率提出了一種新的思路，對(duì)碳化硅晶體制造的關(guān)鍵技術(shù)物理氣相運(yùn)輸法進(jìn)行研究，通過(guò)構(gòu)建包含熱場(chǎng)、流場(chǎng)以及多孔介質(zhì)在內(nèi)的多物理場(chǎng)，分析了碳化硅生產(chǎn)過(guò)程中的流動(dòng)及傳熱傳質(zhì)情況，同時(shí)提出了一種改進(jìn)式的坩堝結(jié)構(gòu)，在坩堝中心增加若干多孔碳管。計(jì)算結(jié)果表明，新坩堝結(jié)構(gòu)能夠提高坩堝中心粉源溫度，并有利于多孔粉源內(nèi)部的碳化硅氣體逸出，提高籽晶表面的過(guò)飽和度，... （共7頁(yè)）