微波GaN器件溫度效應(yīng)建模

摘要： 通過對GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)在不同溫度下直流特性變化的現(xiàn)象與機理分析,本文基于EEHEMT等效電路模型,針對GaN HEMT漏源電流I_(ds)提出了一種溫度效應(yīng)模型.該模型考慮到溫度對GaN HEMT閾值電壓、膝點電壓、飽和電流等方面的影響,對原始EEHEMT模型中的I_(ds)公式進行修改,將I_(ds)公式中的關(guān)鍵參數(shù)與溫度建立起適當(dāng)?shù)暮瘮?shù)關(guān)系式.修改后的模... （共8頁）