電子在自旋-軌道耦合調(diào)制下磁受限半導體納米結(jié)構(gòu)中的傳輸時間及其自旋極化

摘要： 通過考慮構(gòu)筑在半導體GaAs/Al_xGa_(1–x)As異質(zhì)結(jié)上的磁受限半導體納米結(jié)構(gòu)中的塞曼效應和自旋-軌道耦合,本文采用理論分析和數(shù)值計算相結(jié)合的方法研究了電子的傳輸時間與自旋極化.利用矩陣對角化和改進的轉(zhuǎn)移矩陣方法,數(shù)值求解電子的薛定諤方程;采用H.G. Winful理論求電子的居留時間,并計算自旋極化率.由于塞曼效應與自旋-軌道耦合,電子的居留時間明顯地與其自旋有關,...