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基于邊緣優(yōu)化設(shè)計(jì)的低損耗Si3N4光功率分束器

深圳大學(xué)學(xué)報(bào)(理工版) 頁(yè)數(shù)： 4 2024-05-16
摘要： 隨著信息技術(shù)的發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)于更小型化、更高效光器件的需求不斷增加．采用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（complementary metal oxide semiconductor, CMOS）工藝，成功制備了Si3N4光功率分束器并對(duì)其進(jìn)行測(cè)試．結(jié)果表明，在1 550 nm波長(zhǎng)下，邊緣優(yōu)化的1×8功率分束器的總損耗僅為1.30 dB，且其體積相較于傳統(tǒng)設(shè)計(jì)可減小30%．本研究應(yīng)用逆...

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