基于poly-Si鍵合層的SACM型Ge/Si APD的優(yōu)化設(shè)計(jì)研究

摘要： Ge/Si雪崩光電二極管（APD）被廣泛應(yīng)用于近紅外探測(cè)領(lǐng)域，但由于Ge和Si之間存在4.2%的晶格失配，故難以獲得高性能的Ge/Si APD。提出在Ge/Si鍵合界面處引入多晶硅（poly-Si）鍵合中間層，弱化Ge/Si失配晶格對(duì)APD器件性能的影響。poly-Si引入后鍵合界面電場(chǎng)發(fā)生變化，導(dǎo)致APD內(nèi)部的電場(chǎng)重新分布，極大地影響了器件性能。因此，重點(diǎn)對(duì)Ge吸收層和Si倍...