雙晶電光Q開關(guān)消光比的研究

摘要： 雙晶匹配電光Q開關(guān)能夠利用晶體的最大有效電光系數(shù)，大幅降低半波電壓，具有重要的應(yīng)用價(jià)值，但其消光比易受多種因素的制約。系統(tǒng)分析了影響雙晶電光Q開關(guān)消光比的各個(gè)因素，建立了包含光學(xué)不均勻性、晶向偏離、兩晶體溫度變化、長度偏差及溫差等參數(shù)的系列相位延遲公式，由此分析計(jì)算了各因素的容差范圍。結(jié)果表明：光學(xué)不均勻性、兩晶體的長度偏差和溫差是影響消光比的關(guān)鍵因素；當(dāng)僅考慮單一變量時(shí)，消光...