極紫外光刻中的邊緣放置誤差控制

摘要： 極紫外（EUV）光刻是7 nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)芯片大規(guī)模量產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)。隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的減小、工藝復(fù)雜性的增加，芯片的良率面臨著巨大挑戰(zhàn)。邊緣放置誤差（EPE）是量化多重曝光技術(shù)過程中制造圖案保真度的最重要指標(biāo)。EPE控制已成為多重曝光和EUV融合光刻時(shí)代最大的挑戰(zhàn)之一。EPE是關(guān)鍵尺寸（CD）誤差和套刻誤差的結(jié)合。在EUV光刻中，光學(xué)鄰近效應(yīng)和隨機(jī)效應(yīng)是引起光刻誤差的重要因素。光...