dI/dt和dV/dt控制的自適應(yīng)電流型IGBT柵極驅(qū)動(dòng)

摘要： 為了減小絕緣柵型雙極晶體管(IGBT)在開關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的電磁干擾(EMI)，設(shè)計(jì)了一款d I/dt和d V/dt控制的自適應(yīng)電流型IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器．通過(guò)對(duì)IGBT器件開關(guān)過(guò)程的分析，總結(jié)出EMI產(chǎn)生的原因是IGBT在開啟和關(guān)斷過(guò)程中的電流過(guò)沖和電壓過(guò)沖．為了解決這個(gè)問(wèn)題，采用電感和高耐壓電容來(lái)檢測(cè)IGBT開關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的dIC/dt和d V_(CE)/dt，在特定的開關(guān)階段減...