低遠場發(fā)散角976 nm基橫模脊形半導體激光器

摘要： 采用非對稱大光腔外延結構設計制備出976 nm InGaAs/GaAsP應變補償量子阱脊形半導體激光器，通過對外延結構的設計優(yōu)化，以實現器件低遠場發(fā)散角、低功耗的基橫模穩(wěn)定輸出。所制備基橫模脊形半導體激光器的脊寬為5μm、腔長為1500μm，在25℃測試溫度下，可獲得422 mW最大連續(xù)輸出功率，峰值波長為973.3 nm，光譜線寬（FWHM）為1.4 nm。當注入電流為500...