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基于各向異性界面的深納米尺度電磁邊界條件

北京師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版) 頁數(shù): 8 2024-08-15
摘要: 以各向異性介質(zhì)所構(gòu)成的界面為基礎(chǔ)構(gòu)建了光學(xué)參數(shù)漸變的過渡界面模型;利用積分形式麥克斯韋方程組,同時(shí)引入了6個(gè)反映過渡區(qū)域電磁場量變化情況的界面響應(yīng)函數(shù),并經(jīng)推導(dǎo)獲得了適用于深納米尺度的電磁邊界條件.依據(jù)麥克斯韋方程組及材料本構(gòu)關(guān)系,闡明了界面響應(yīng)函數(shù)的物理意義;提出了與過渡界面模型等效的突變各向異性界面模型,其界面分布著電偶極矩和磁偶極矩,并經(jīng)推導(dǎo)獲得了界面偶極矩的納米電磁邊界...

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