等離子體增強原子層沉積二氧化硅對多晶硅的損傷機理及防范工藝研究

摘要： 文章通過電子束檢測（EBI）手段研究了等離子體增強原子層沉積（PEALD） SiO₂過程中硅烷基酰胺類前驅(qū)體副產(chǎn)物對多晶硅產(chǎn)生不可逆損傷的機理。提出用單胺基硅烷基酰胺替代多胺基硅烷基酰胺作為前驅(qū)體，來減輕對多晶硅材料的損傷。在不損傷多晶硅前提下，進一步研究化學位阻較小的單胺基前驅(qū)體二異丙胺硅烷（DIPAS）對反應(yīng)速率的影響。