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基于流固耦合的碳化硅襯底CMP過程溫度場仿真分析

組合機床與自動化加工技術 頁數(shù): 6 2024-01-18
摘要: 在碳化硅襯底化學機械拋光過程中,拋光界面溫度是影響拋光效率的關鍵因素之一,掌握拋光界面溫度分布情況,有助于更深入理解CMP機理并為工藝優(yōu)化提供理論指導。為此,對碳化硅襯底的CMP過程中溫度場分布情況進行了探究,分析了不同拋光工藝參數(shù)和拋光液組分對拋光界面溫度的影響。利用有限元分析軟件ANSYS的流固耦合模塊,綜合考慮拋光墊與拋光液對SiC襯底的磨削作用,得到拋光過程中SiC襯底...

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