基于流固耦合的碳化硅襯底CMP過程溫度場仿真分析

摘要： 在碳化硅襯底化學機械拋光過程中，拋光界面溫度是影響拋光效率的關鍵因素之一，掌握拋光界面溫度分布情況，有助于更深入理解CMP機理并為工藝優(yōu)化提供理論指導。為此，對碳化硅襯底的CMP過程中溫度場分布情況進行了探究，分析了不同拋光工藝參數(shù)和拋光液組分對拋光界面溫度的影響。利用有限元分析軟件ANSYS的流固耦合模塊，綜合考慮拋光墊與拋光液對SiC襯底的磨削作用，得到拋光過程中SiC襯底...