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考慮驅(qū)動電壓與開關(guān)時序協(xié)同調(diào)控的Si/SiC混合器件開關(guān)策略

中國電機(jī)工程學(xué)報(bào) 頁數(shù)： 12 2023-12-25
摘要： 硅基(Si)絕緣柵雙極晶體管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)和碳化硅基(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)并聯(lián)組成的Si/SiC混合器件，已被證實(shí)具有SiC MOSFET的高開關(guān)頻率、低開關(guān)損耗特性和Si IGBT...

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