基于硅通孔的三維微系統(tǒng)互聯(lián)結(jié)構(gòu)總劑量效應損傷機制研究

摘要： 垂直硅通孔（TSV）作為三維集成微系統(tǒng)的核心技術(shù)之一，可以通過多個平面層器件的垂直堆疊有效降低互聯(lián)延遲，提高集成密度，減少芯片功耗。利用⁶⁰Co γ射線實驗裝置，以自主設(shè)計的基于TSV的三維互聯(lián)結(jié)構(gòu)作為實驗對象，進行了總劑量效應敏感性分析。實驗發(fā)現(xiàn)，隨著累積輻照劑量的增加，TSV信號通道的插入損耗（S₂₁）減小，回波損耗（S₁₁）增大，信號傳輸效率不斷降低。結(jié)...