Ⅰ型倍增層對異質(zhì)SAM結(jié)構(gòu)InSb-APD紅外探測器性能的影響

摘要： 紅外探測器的光電特性會受到內(nèi)部結(jié)構(gòu)倍增層參數(shù)的影響，為了能夠改善器件的雪崩效應(yīng)，借助仿真軟件Silvaco-TCAD，詳細(xì)探討了Ⅰ型倍增層的殘余摻雜濃度和厚度對異質(zhì)SAM結(jié)構(gòu)ⅠnSb-APD紅外探測器性能的影響。研究結(jié)果表明，隨著Ⅰ型倍增層摻雜濃度的增加，其倍增層內(nèi)的電場強(qiáng)度峰值增加，同時光響應(yīng)度略微增加；隨著Ⅰ型倍增層厚度的增加，其倍增層的光響應(yīng)度與暗電流密度升高，同時電場強(qiáng)...