一種新型電光晶體半波電壓測(cè)量方法研究

摘要： 本文通過(guò)分析晶體電光效應(yīng)及折射率隨電場(chǎng)變化規(guī)律，建立了電光調(diào)制數(shù)學(xué)模型并提出一種新的半波電壓測(cè)量方法。該方法基于晶體兩端所加電壓幅值與系統(tǒng)輸出波形之間數(shù)學(xué)模型，通過(guò)確定輸出波形失真臨界點(diǎn)推演晶體半波電壓。為優(yōu)化系統(tǒng)，分析了半波電壓附近輸出波形特性及光源、電源和時(shí)間分辨率與系統(tǒng)誤差之間的關(guān)系并提出了兩種優(yōu)化方案——時(shí)間分辨率優(yōu)化及對(duì)稱(chēng)優(yōu)化。時(shí)間分辨率優(yōu)化的方式通過(guò)放大單個(gè)波形細(xì)節(jié)...