高遷移率金屬氧化物半導體薄膜晶體管的研究進展

摘要： 基于金屬氧化物半導體（MOS）的薄膜晶體管（TFT）由于較高的場效應遷移率（μ_(FE)）、極低的關斷漏電流和大面積電性均勻等特點，已成為助推平板顯示或柔性顯示產業(yè)發(fā)展的一項關鍵技術。經過30余年的研究，非晶銦鎵鋅氧化物（a-IGZO）率先替代非晶硅（a-Si）在TFT中得到推廣應用。然而，為了同時滿足顯示產業(yè)對更高生產效益、更佳顯示性能（如高分辨率、高刷新率等）和更低功耗等多...