大功率射頻Si-VDMOS功率晶體管研制

摘要： 介紹了大功率射頻硅-垂直雙擴散金屬氧化物場效應晶體管(Si-VDMOS)的研制結(jié)果，采用柵分離降低反饋電容技術、多子胞降低源極電感技術等，從芯片原理著手，比較分析兩種芯片結(jié)構設計對反饋電容的影響，以及兩種布局引線對源極電感的影響，并研制出了百瓦級以上大功率射頻Si-VDMOS功率晶體管系列產(chǎn)品。產(chǎn)品主要性能如下：在工作電壓28 V及連續(xù)波下，采用8胞合成時，225 MHz輸出功...