高性能芯片物理實現(xiàn)的關(guān)鍵因素

摘要： 影響高性能芯片的物理設(shè)計涉及多個關(guān)鍵因素,文章分析了其中主要的5個因素:標(biāo)準(zhǔn)單元庫、核心IP庫、布局布線、制造工藝、物理設(shè)計與EDA工具/Foundry的協(xié)作優(yōu)化.通過對基本情況介紹,當(dāng)前行業(yè)情況分析等,剖析了影響高性能芯片設(shè)計及制造的核心因素,對高性能芯片未來需要重點發(fā)展的方向提出了一些探討思路.