一種高頻單片GaN DC-DC降壓轉換器設計

摘要： 基于全耗盡型(D-mode) 0.25μm硅基氮化鎵(GaN-on-Si)工藝，設計了一款高頻單片GaN DC-DC降壓轉換器芯片。該芯片集成了驅動電路和半橋功率級電路，驅動電路中電平放大功能通過有源上拉結構實現(xiàn)，在100～200 MHz頻率范圍內，單片GaN DC-DC降壓轉換器可直接被0.7 V的高速脈沖信號控制，無需片外模塊，其峰值功率級效率達到92.2%,峰值總效率達到...