一種考慮復合電流的SiC LBJT行為模型改進

摘要： 介紹了一種考慮基區(qū)SiC/SiO₂界面處復合電流的SiC LBJT改進模型。分析了橫向碳化硅雙極結型晶體管與其垂直結構之間的區(qū)別，將橫向BJT的外延層和半絕緣機構等效為襯底電容。再引入一個平行于SiC BJT基極結的附加二極管來描述復合電流，以垂直SiC BJT的SGP模型為基礎建立SiC LBJT行為模型。校準了LBJT模型的基區(qū)渡越時間，模型與實際器件的開關特性接近吻合。...