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一種襯底波紋注入的寬頻帶高PSR無(wú)片外電容LDO

微電子學(xué) 頁(yè)數(shù)： 7 2024-06-24
摘要： 基于40 nm CMOS工藝，設(shè)計(jì)了一種具有高頻高電源抑制(PSR)的無(wú)片外電容低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)電路。電路采用1.1 V電源供電，LDO輸出電壓穩(wěn)定在0.9 V。仿真結(jié)果表明，傳統(tǒng)無(wú)片外電容LDO電路的PSR將會(huì)在環(huán)路的單位增益頻率(UGF)處上升到一個(gè)尖峰，之后才經(jīng)輸出節(jié)點(diǎn)處的電容到地的通路開始降低，最高時(shí)PSR甚至大于0 dB。采用新型的襯底波紋注入技術(shù)的LDO能...

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