U型高K介質(zhì)膜槽柵垂直場板LDMOS

摘要： 近年來，隨著汽車電子和電源驅(qū)動的發(fā)展，集成度較高的LDMOS作為熱門功率器件受到了關(guān)注，如何提高其擊穿電壓與降低其比導(dǎo)通電阻成為提高器件性能的關(guān)鍵。基于SOI LDMOS技術(shù)，文章提出了在被4μm的高K介質(zhì)膜包圍的SiO₂溝槽中引入垂直場板的新型結(jié)構(gòu)。與傳統(tǒng)溝槽LDMOS相比，垂直場板和高K介質(zhì)膜充分地將電勢線引導(dǎo)至溝槽中，提高了擊穿電壓。此外垂直場板與高K介質(zhì)和漂移區(qū)形成的...