基于UTB-SOI技術(shù)的雙輔助觸發(fā)SCR ESD防護(hù)器件研究

摘要： 為了提高FDSOI ESD防護(hù)器件的二次擊穿電流，基于UTB-SOI技術(shù)，提出了一種SOI gg-NMOS和寄生體硅PNP晶體管雙輔助觸發(fā)SCR器件。通過(guò)gg-NMOS源區(qū)的電子注入和寄生PNP晶體管的開(kāi)啟，共同輔助觸發(fā)主泄放路徑SCR,快速泄放ESD電流。TCAD仿真結(jié)果表明，新結(jié)構(gòu)能夠泄放較高的二次擊穿電流，具有可調(diào)節(jié)的觸發(fā)電壓。