鍺硅異質結雙極器件單粒子效應與加固技術研究進展

摘要： 鍺硅異質結雙極晶體管(Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors, SiGe HBT)具有高速、高增益、低噪聲、易集成等多種優(yōu)勢，廣泛應用于高性能模擬與混合信號集成電路。同時，基區(qū)能帶工程帶來的優(yōu)異低溫特性以及良好的抗總劑量、抗位移損傷能力使其擁有巨大的空間極端環(huán)境應用潛力。然而，SiGe HBT固有的器件結構使其對...