固結(jié)磨料切割Φ200 mm硅單晶表面損傷研究

摘要： 研究電鍍剛石線在多線切割過(guò)程中對(duì)半導(dǎo)體硅材料的去除機(jī)制與表面損傷情況，在不同的鋼線速度下對(duì)Φ200 mm硅單晶進(jìn)行切割實(shí)驗(yàn)，并對(duì)切割的試樣與切屑進(jìn)行掃描電鏡（SEM）測(cè)試，觀察試樣的表面形貌和切屑的形貌，分析半導(dǎo)體硅材料的去除機(jī)制與硅片表面不同位置的粗糙度及損傷深度。結(jié)果表明：電鍍金剛石線切割硅晶體時(shí)，線速度越高，進(jìn)給速度越小，硅晶體材料越容易以塑性方式加工；固結(jié)磨料切割后的硅...