ICPCVD低溫生長非晶硅的工藝及光學(xué)特性研究

摘要： 文章利用ICPCVD在100℃及以下玻璃和藍(lán)寶石片襯底上生長非晶硅薄膜，并通過調(diào)節(jié)Ar和SiH4氣體流量比例、射頻功率及襯底溫度等參數(shù)，實現(xiàn)低溫下高質(zhì)量非晶硅薄膜的生長。隨后用拉曼光譜表征分析研究了襯底溫度變化對非晶硅薄膜沉積質(zhì)量的影響，并計算出襯底溫度為100℃時，非晶硅薄膜的結(jié)晶分?jǐn)?shù)和微晶尺寸分別為64.4%和4.7 nm。此外還研究了非晶硅薄膜折射率和透過率等光學(xué)特性，并...