一種X波段三叉H型低電壓RF MEMS開關設計

摘要： 針對射頻電路系統(tǒng)所需要的低電壓，高隔離度，低插入損耗的應用需求，通過對開關正對面積對驅(qū)動電壓產(chǎn)生的影響進行探究，設計了一款應用于X波段三叉H型的RF MEMS開關。開關具有六條懸臂梁作為支撐，通過增大上極板面積來降低開關的開啟電壓。分別使用HFSS和COMSOL對開關的射頻性能和機械性能進行仿真，開關最終優(yōu)化后，在8-12GHz內(nèi)，插入損耗為0.26～0.57 dB，隔離度大于...