回跳現(xiàn)象對RC-IGBT器件功率循環(huán)測試的影響

摘要： 逆導(dǎo)型絕緣柵雙極型晶體管(reverse conducting insulated gate bipolar transistor,RC-IGBT)是一種新型IGBT器件，其在IGBT芯片結(jié)構(gòu)中集成了一個快恢復(fù)二極管，具有成本低、封裝工藝簡單、功率密度高、抗浪涌電流能力高等特點，因而備受工業(yè)界關(guān)注，對其可靠性的要求也越來越高。但是，由于RC-IGBT器件特殊的芯片結(jié)構(gòu)，使得其輸...