基于改進(jìn)YOLOv5算法的直拉法單晶硅位錯(cuò)檢測(cè)模型研究

摘要： 表征和測(cè)量單晶硅位錯(cuò)密度是檢測(cè)晶體生長(zhǎng)品質(zhì)和研究位錯(cuò)形成機(jī)制的重要參量?；谖诲e(cuò)腐蝕坑形貌差異大、背景復(fù)雜等非典型性特征，以及傳統(tǒng)人工光學(xué)顯微檢測(cè)準(zhǔn)確度不高、效率低下等問(wèn)題，提出一種改進(jìn)的YOLOv5算法檢測(cè)單晶硅位錯(cuò)腐蝕坑密度分布。在原始的YOLOv5算法基礎(chǔ)上引入注意力機(jī)制，優(yōu)化網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，加強(qiáng)模型推算能力；進(jìn)一步通過(guò)強(qiáng)化特征融合，提升網(wǎng)絡(luò)檢測(cè)精度；優(yōu)化損失函數(shù)增強(qiáng)定位準(zhǔn)確率...