TFT柵極刻蝕負(fù)載效應(yīng)及解決方案

摘要： 在薄膜晶體管（Thin film transistor,TFT）的柵極（Gate）刻蝕制程中，顯示區(qū)（AA區(qū)）和引線(xiàn)區(qū)（Fanout區(qū)）因布線(xiàn)密度差異而存在刻蝕負(fù)載效應(yīng)，兩區(qū)域刻蝕程度差異大，刻蝕時(shí)間難以確定。抑制柵極刻蝕制程中的刻蝕負(fù)載效應(yīng)，對(duì)品質(zhì)確保具有積極意義。本文分析了濕法刻蝕微觀過(guò)程，提出增加刻蝕液噴淋流量抑制刻蝕負(fù)載效應(yīng)的方案。將增加噴淋流量的方案轉(zhuǎn)化為調(diào)節(jié)3個(gè)刻蝕...