晶態(tài)IGZO薄膜晶體管的研究進展

摘要： 隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，對高性能、高穩(wěn)定性的薄膜晶體管（Thin Film Transistor,TFT）的需求日趨增加，通過結(jié)晶改善薄膜晶體管性能的方法受到大量關(guān)注。當前，銦鎵鋅氧化物（IGZO）材料由于具有遷移率高、柔性好、透明度高等優(yōu)勢，被廣泛用于薄膜晶體管的溝道中，而改善IGZO溝道層的結(jié)晶形態(tài)也成為研究熱點。本文總結(jié)了晶態(tài)IGZO薄膜晶體管器件的研究進展，詳細介紹了I...