H₂對HfO₂襯底上等離子體增強化學氣相沉積石墨烯的影響

摘要： HfO₂薄膜和石墨烯是用于制作石墨烯場效應晶體管的主要材料，而采用PECVD(等離子體增強化學氣相沉積法)在HfO₂襯底上原位生長石墨烯是極具潛力的一種石墨烯制備方法，這種方法有助于降低石墨烯轉移過程對石墨烯質量的影響，從而提高石墨烯場效應晶體管的性能。使用真空電子束蒸鍍方法在重摻雜單拋硅片襯底上分別于50、150、250℃下沉積了100 nm厚的HfO₂薄膜樣品；隨后選...