堆用SiC輻照溫度監(jiān)控器的研究進展

摘要： 碳化硅（SiC）晶體可以用作無源監(jiān)控器測量反應(yīng)堆的中子輻照溫度，在未來高溫強輻射的先進核反應(yīng)堆中具有重要的應(yīng)用前景。SiC測溫技術(shù)自20世紀(jì)60年代被首次提出以來，基于SiC結(jié)構(gòu)、熱學(xué)和電學(xué)性質(zhì)的中子輻照效應(yīng)，人們建立了宏觀尺寸法、質(zhì)量密度法、熱導(dǎo)率法和電阻率法等各種SiC測溫方法。本文首先綜述了這些SiC測溫方法的基本原理和工作特點，然后著重介紹了中國原子能科學(xué)研究院（Chi...