代表點(diǎn)法體源探測(cè)效率刻度研究
核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù)
頁(yè)數(shù): 6 2023-03-20
摘要: 代表點(diǎn)法能在不受探測(cè)器內(nèi)部結(jié)構(gòu)和尺寸的影響下,實(shí)現(xiàn)高純鍺(HPGe)γ譜儀的快速效率刻度,簡(jiǎn)化傳統(tǒng)地質(zhì)和環(huán)境放射性樣品核素分析過(guò)程。通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)量和蒙特卡羅模擬兩種手段,對(duì)比研究其代表點(diǎn)位置求取的準(zhǔn)確性,以證明代表點(diǎn)法在體源探測(cè)效率刻度工作中的可行性。結(jié)果表明,蒙特卡羅方法相較于傳統(tǒng)的實(shí)驗(yàn)測(cè)量方法,代表點(diǎn)求取過(guò)程更加迅速,且同實(shí)驗(yàn)法計(jì)算的代表點(diǎn)位置基本接近。在不同測(cè)量高度下,代表...